STM32F051K6U6，意法半导体32位MCU优势供货商

STW70N65DM6
N沟道650 V、360 mOhm典型值、68 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO-247封装
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与上一代MDmesh快速产品相比，DM6具有非常低的恢复电荷（QRR）、恢复时间 （tRR）和R的出色改进DS（开启）单位面积，具有市场上有效的开关行为之一，适用于要求苛刻的桥式拓扑和 ZVS 移相转换器。
ST其他部分单片机MCU型号：
STM32F101R6T6
STM32F101C6T6
STM32F103C6T6
STM32F103R6T6
STM32F101T6U6
STM32F103T6U6
STM32L433CCT6
STM32L443CCU6
STM32F334R8T6
STM32L433RCI6
STM32L443CCT6
STM32L432KCU3
STM32L083VZT6
STM32L452RCI6
STM32L451CEU6ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

RF2L16180CB4
180 W、28 V、1.3 至 1.6 GHz 射频功率 LDMOS 晶体管
功能
率和线性增益操作
集成静电保护
内部匹配，易于使用
针对多尔蒂应用进行了优化
较大的正负栅极-源极电压范围，可改善 C 类操作
符合欧洲指令 2002/95/EC
ST其他部分单片机型号：
STM32L476RET6
STM32L4P5CET6
STM32F412CGU6
STM32F303VET6
STM32L151QEH6
STM32F413CGU6
STM32L496RET6
STM32L486RGT6
STM32F446ZCJ6
STM32G474QET6
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，我们只做原装，欢迎合作！

STB28N65M2
N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，D2PAK封装
这些器件是采用 MDmesh™ M2 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET。由于其带状布局和改进的垂直结构，这些器件具有低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求苛刻的率转换器。
极低的栅极电荷
出色的输出电容 （C开放源码软件） 简介
雪崩测试
齐纳保护
ST意法其他部分单片机型号：
STM32F429IEH6
STM32L4R5AGI6
STM32F405ZGT7
STM32F746VGH6
STM32L4R9VGT6
STM32F765VGH6
STM32F429NEH6
STM32F429BET6
STM32F417ZGT6
STM32F429AGH6
STM32F439VGT6
STM32F746NEH6
STM32F437ZGT6
STM32F413ZHT3
STM32F745IGT6
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