产品别名 |
三极管,双极型晶体管,功率晶体管,晶体三极管 |
面向地区 |
电子三极管 Triode （俗称 电子管的一种）
双极型 晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）
J型 场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）
金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称
V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）
注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单极（Unipolar）结构的，是和 双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为 单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）
其中J型场效应管是非绝缘型 场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管。
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的。
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，
从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管基本的和重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
三极管类型的判别： 三极管只有两种类型，即PNP型和NPN型。判别时只要知道基极是P型材料还N型材料即可。当用多用电表R×1k挡时，红表笔代表电源正极，如果红表笔接基极时导通，则说明三极管的基极为P型材料，三极管即为NPN型。如果黑表笔接基极导通，则说明三极管基极为N型材料，三极管即为PNP型。
主要参数
1、额定电压。
2、电流定额：集电极大电流Icm，集电极持续电流Ic。
3、集电极大耗散功率：Pcm（管壳为25℃时）。
4、高结温Tmj（一般为150℃）。
5、开关时间：开通时间、存储时间、下降时间。
